Optimización del tratamiento de plasma de oxígeno en el contacto ohmico para HEMTs de AlGaN/GaN en sustrato de Si de alta resistividad
Autores: Li, Pengfei; Wei, Shuhua; Kang, Xuanwu; Zheng, Yingkui; Zhang, Jing; Wu, Hao; Wei, Ke; Yan, Jiang; Liu, Xinyu
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Optimización del tratamiento de plasma de oxígeno en el contacto ohmico para HEMTs de AlGaN/GaN en sustrato de Si de alta resistividad
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Plasma de oxígeno
Resistencia de contacto óhmico
HEMTs de AlGaN/GaN
Potencia ICP
Potencia de RF
Vacante de nitrógeno
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 35
Citaciones: Sin citaciones
El tratamiento de superficie con plasma de oxígeno antes de la deposición de metal óhmico se desarrolló para reducir la resistencia de contacto óhmico (R) para transistores de movilidad electrónica de alto electrón (HEMT) de AlGaN/GaN en un sustrato de Si de alta resistividad.
Descripción
El tratamiento de superficie con plasma de oxígeno antes de la deposición de metal óhmico se desarrolló para reducir la resistencia de contacto óhmico (R) para transistores de movilidad electrónica de alto electrón (HEMT) de AlGaN/GaN en un sustrato de Si de alta resistividad.