Optimización de la resistencia de contacto y características de CC para HEMTs de AlGaN/GaN utilizando grabado de nanohuecos sub-10 nm
Autores: Lee, Hsin-Jung; Lee, Cheng-Che; Pan, Hong-Ru; Kuan, Chieh-Hsiung
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Optimización de la resistencia de contacto y características de CC para HEMTs de AlGaN/GaN utilizando grabado de nanohuecos sub-10 nm
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Matrices de agujeros a escala nanométrica
Transistor de alta movilidad electrónica AlGaN/GaN
Nanorres
Litografía de haz de electrones
Resistencia de contacto
Características de corriente continua
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 43
Citaciones: Sin citaciones
En este estudio, la resistencia de contacto del transistor de movilidad electrónica de alta electrones (HEMT) de AlGaN/GaN se mejoró mediante la introducción de matrices de orificios a escala nanométrica en las regiones óhmicas, y se midieron las características DC de la estructura convencional y la estructura de grabado de nanohuecos para HEMTs para su comparación.
Descripción
En este estudio, la resistencia de contacto del transistor de movilidad electrónica de alta electrones (HEMT) de AlGaN/GaN se mejoró mediante la introducción de matrices de orificios a escala nanométrica en las regiones óhmicas, y se midieron las características DC de la estructura convencional y la estructura de grabado de nanohuecos para HEMTs para su comparación.