Las soluciones sol-gel convencionales han recibido una atención significativa en la fabricación de transistores de película delgada (TFT) debido a sus ventajas como procesamiento simple, aplicabilidad a gran escala y bajo costo. Sin embargo, los TFT de óxido de zinc y estaño (ZTO) procesados de manera convencional mediante sol-gel tienen una limitación térmica en el sentido de que requieren altas temperaturas de recocido de más de 500 gradosC, que son incompatibles con la mayoría de los sustratos plásticos flexibles. En este estudio, para superar la limitación térmica de los TFT de ZTO procesados de manera convencional mediante sol-gel, demostramos un TFT de ZTO que se fabricó a bajas temperaturas de recocido de 350 gradosC utilizando auto-combustión. El dispositivo optimizado mostró un rendimiento satisfactorio, con una movilidad de 4.72 cm/Vs, V de -1.28 V, SS de 0.86 V/década, y I/ de 1.70 x 10 a una baja temperatura de recocido de 350 gradosC durante una hora. Para comparar un TFT de ZTO procesado de manera convencional mediante sol-gel con el dispositivo optimizado, se implementaron análisis termogravimétricos y térmicos diferenciales (TG-DTA) y espectroscopía fotoelectrónica de rayos X (XPS).