El material dieléctrico ultra bajo en constante dieléctrica que reemplaza al medio dieléctrico SiO convencional en los interconectores de nanocinta de grafeno multicapa acoplados (MLGNR) se presenta. Se establece un modelo equivalente de línea de transmisión distribuida de interconectores MLGNR acoplados para derivar las expresiones analíticas de retardo de diafonía, ganancia de transferencia y salida de ruido para el nodo tecnológico de 7.5 nm a nivel global, que tienen en cuenta la diafonía en fase y fuera de fase. Los resultados muestran que al reemplazar los medios dieléctricos SiO con el nanocristal, la reducción máxima del tiempo de retardo y el voltaje pico de ruido son de 25.202 ns y 0.102 V para una longitud de interconexión de 3000 um, respectivamente. Se demuestra que los materiales dieléctricos ultra bajos en constante dieléctrica pueden reducir significativamente el tiempo de retardo y el ruido de diafonía, y aumentar la ganancia de transferencia en comparación con el medio dieléctrico SiO convencional. Además, se encuentra que el interconector MLGNR acoplado en modo fuera de fase tiene un mayor retardo de diafonía y una menor ganancia de transferencia que en modo en fase, y el voltaje pico de ruido aumenta con el aumento de la longitud del interconector MLGNR acoplado. Los resultados presentados en este documento serían útiles para ayudar en la mejora del rendimiento de los interconectores en chip y proporcionar pautas para el análisis de las características de la señal de los interconectores MLGNR.