Los diodos emisores de luz ultravioleta (UVLED) son un nuevo tipo de dispositivo en el desarrollo de LED; sin embargo, la eficacia radiante de los UVLED sigue siendo demasiado baja para satisfacer los requisitos de las aplicaciones. En este estudio, se incorporan nanopartículas de nitruro de boro (BN NPs) en la encapsulación de silicona de los UVLED para mejorar la potencia de salida óptica. Este paquete basado en BN NPs muestra un aumento en el flujo óptico del 8.1% en comparación con la encapsulación solo de silicona cuando la concentración de BN NP está optimizada en 0.025 wt%. Al analizar la película de BN NP, agregar los BN NPs a la silicona conlleva a una disminución en la transmitancia pero un aumento en la turbidez. La turbidez y la transmitancia tienen una excelente correlación negativa con el aumento de la concentración de BN bajo 365 nm. La concentración moderada de BN NP maximiza el rendimiento de dispersión de la turbidez manteniendo una alta transmitancia. Por lo tanto, esta mejora en la salida de luz se atribuye a la dispersión que reduce las pérdidas ópticas de la reflexión total interna en la interfaz aire-silicona. Al utilizar la nueva estructura basada en BN en dispositivos de puntos cuánticos verdes y rojos, se observa un aumento en el flujo radiante del dispositivo, un 9.9% para LED verde y un 11.4% para LED rojo. Esto indica que las BN NPs tienen perspectivas potenciales en la aplicación de UV LED utilizados como fuentes de excitación para puntos cuánticos.