Se examina el impacto de la purga de N en el baño de deposición de CdS y el posterior recocido de N, y se contrasta con las películas convencionales de CdS, que se depositaron sin purga y se recocieron en aire ambiente. Todas las películas se fabricaron utilizando el método de deposición en baño químico a una temperatura de 80 grados C en láminas de vidrio de óxido de estaño dopado con flúor (FTO). Las películas purgadas con N se depositaron introduciendo gas nitrógeno en el baño de deposición durante todo el proceso de deposición de CdS. Posteriormente, tanto las películas purgadas con N como las no purgadas fueron sometidas a recocido a temperaturas que oscilan entre 100 y 500 grados C durante una hora, ya sea en un ambiente de nitrógeno o en aire ambiente. Los estudios de celdas fotoelectroquímicas (PEC) revelan que las películas sometidas tanto a la purga de N como al recocido de N exhiben una notable mejora del 37.5% y 27% en los valores de I (corriente de cortocircuito) y V (voltaje de circuito abierto), acompañada de una mejora del 5% en la transmitancia óptica en comparación con las películas delgadas de CdS convencionales. Las películas recocidas a 300 grados C demuestran los valores más altos de I, V y V, 55 A, 0.475 V y -675 mV, respectivamente. Las propiedades optoelectrónicas mejoradas en las películas tanto purgadas como recocidas con N se atribuyen a su estructura bien compacta, conectividad mejorada y una mayor relación de azufre a cadmio de 0.76 en las películas.