El ZnO dopado se encuentra entre los óxidos conductores transparentes más atractivos para células solares porque son relativamente baratos, se pueden texturizar para atrapar la luz y se producen fácilmente para recubrimientos a gran escala. Aquí, nos enfocamos en el desarrollo de ZnO dopado con Na y K preparado mediante un método de pirólisis por pulverización de bajo costo y fácil aplicación para óxidos conductores. Para mejorar las propiedades eléctricas del óxido de zinc, se investigaron soluciones sólidas de Zn MO dopadas con álcalis (x = 0.03). Las capas resultantes cristalizan en una única fase hexagonal de estructura wurtzita con orientación preferida del eje c a lo largo de un plano cristalino (002). Se obtuvieron capas densas, bien adheridas al sustrato, homogéneas y altamente transparentes con una gran transmitancia óptica superior al 80%. La banda de energía óptica de los filmes de ZnO dopado aumenta de 3.27 a 3.29 eV al dopar con Na y K, respectivamente. La resistividad eléctrica del ZnO no dopado se pudo disminuir de 1.03 x 10 Ohm.cm a 5.64 x 10 Ohm.cm (dopado con K) y 3.18 x 10 (dopado con Na), respectivamente. Por último, las concentraciones de portadores aumentaron de 5.17 x 10 (ZnO no dopado) a 1 x 10 (ZnO dopado).