La potencia de onda THz se mejora utilizando un combinador basado en línea de microcinta integrado con UTC-PDs en serie
Autores: Ssali, Hussein; Kamiura, Yoshiki; Doi, Ryo; Agemori, Hiroki; Che, Ming; Mikami, Yuya; Kato, Kazutoshi
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
La potencia de onda THz se mejora utilizando un combinador basado en línea de microcinta integrado con UTC-PDs en serie
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Dispositivos de semiconductores
Tecnología de comunicación de terahercios
UTC-PDs
Potencia de salida
Dispositivo fotomixto
Carburo de silicio
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 50
Citaciones: Sin citaciones
Los avances en dispositivos semiconductores, como los fotodiodos de portador de viaje único (UTC-PDs), han desempeñado un papel significativo en el desarrollo de la tecnología de comunicación de Terahertz. Sin embargo, el desafío persistente es la potencia de salida limitada de un solo UTC-PD requerida para distancias de transmisión prácticas.
Descripción
Los avances en dispositivos semiconductores, como los fotodiodos de portador de viaje único (UTC-PDs), han desempeñado un papel significativo en el desarrollo de la tecnología de comunicación de Terahertz. Sin embargo, el desafío persistente es la potencia de salida limitada de un solo UTC-PD requerida para distancias de transmisión prácticas.