Los transistores con electrolito de óxido han demostrado la capacidad de emular varias funciones sinápticas, pero aún requieren un voltaje de compuerta alto para formar plasticidad a largo plazo. Aquí, estudiamos transistores con electrolito de óxido basados en InO con dopaje de tungsteno (W-InO). Cuando la proporción de tungsteno a indio aumentó del 0% al 7,6%, la ventana de memoria de la curva de transferencia aumentó de 0,2 V a 2 V en un pequeño rango de barrido de -2 V a 2,5 V. Bajo 50 pulsos con un ciclo de trabajo del 2%, la conductancia del transistor aumentó de 40 veces a 30,000 veces. Además, el transistor W-InO mostró una facilitación de pulsos emparejados mejorada y pasó con éxito la prueba pavloviana después del entrenamiento. La formación de WO dentro de InO y su intercalación iónica en el canal pueden explicar la plasticidad sináptica mejorada.