Como candidato prometedor para la tecnología More Moore, los transistores de efecto de campo de óxido metálico de canal n (nMOSFETs) basados en InGaAs han atraído un creciente interés de investigación, especialmente con configuraciones de InGaAs-sobre-aislante (InGaAs-OI) destinadas a aliviar los efectos de canal corto. Correspondientemente, la fabricación de un cuerpo de InGaAs ultradelgado se vuelve necesaria para la depleción completa del canal, mientras que el deterioro de la dispersión relacionada con la interfaz semiconductor-aislante podría limitar severamente la movilidad de portadores. Este trabajo se centra en la exploración de estrategias de mejora de la movilidad de portadores para nMOSFETs InGaAs-OI basados en un cuerpo de 8 nm. Con la introducción de un sesgo de compuerta inferior en el lado del sustrato, la estructura de la banda de conducción en el canal fue modificada, reubicando la función de onda del portador desde la interfaz InGaAs/AlO hacia el cuerpo. Como resultado, la movilidad del canal con una concentración de portadores de capa de inversión de 1 x 10 cm se incrementó en un 62%, lo cual beneficia la aplicación de dispositivos InGaAs-OI en la integración 3D monolítica. También se investigó la influencia del sesgo de doble compuerta desde la compuerta frontal y la compuerta inferior en la estabilidad de la compuerta, donde se ha revelado que la introducción del sesgo positivo de la compuerta inferior también es beneficiosa para la estabilidad de la compuerta con un campo eléctrico ortogonal aliviado.