Cambiar características y mecanismo utilizando capa interfacial de AlO en la memoria resistiva Al/Cu/GdO/AlO/TiN
Autores: Chiu, Chiao-Fan; Ginnaram, Sreekanth; Senapati, Asim; Chen, Yi-Pin; Maikap, Siddheswar
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Cambiar características y mecanismo utilizando capa interfacial de AlO en la memoria resistiva Al/Cu/GdO/AlO/TiN
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
El memristor es un tipo de interruptor resistivo.
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 30
Citaciones: Sin citaciones
Las características de conmutación resistiva al utilizar la capa interfacial de AlO en un memristor Al/Cu/GdO/AlO/TiN se han mejorado en comparación con la estructura Al/Cu/GdO/TiN gracias a la inserción de la capa de AlO por primera vez.
Descripción
Las características de conmutación resistiva al utilizar la capa interfacial de AlO en un memristor Al/Cu/GdO/AlO/TiN se han mejorado en comparación con la estructura Al/Cu/GdO/TiN gracias a la inserción de la capa de AlO por primera vez.