Optimización del clip de cobre MOSFET para mejorar la gestión térmica mediante el modelo de sustitución de Kriging y el algoritmo genético
Autores: Cheon, Yubin; Jung, Jaehyun; Ki, Daeyeon; Khalid, Salman; Kim, Heung Soo
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Optimización del clip de cobre MOSFET para mejorar la gestión térmica mediante el modelo de sustitución de Kriging y el algoritmo genético
Categoría
Matemáticas
Subcategoría
Matemáticas generales
Palabras clave
Transistores de efecto de campo de óxido de metal
MOSFETs
Gestión térmica
Análisis de elementos finitos
Unión de clip de cobre
Modelo de Kriging
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 39
Citaciones: Sin citaciones
Los transistores de efecto de campo de óxido metálico-semiconductor (MOSFET) son críticos en módulos electrónicos de potencia debido a su alta densidad de potencia y capacidades de conmutación rápida. Por lo tanto, la gestión térmica efectiva es crucial para garantizar la fiabilidad y el rendimiento superior.
Descripción
Los transistores de efecto de campo de óxido metálico-semiconductor (MOSFET) son críticos en módulos electrónicos de potencia debido a su alta densidad de potencia y capacidades de conmutación rápida. Por lo tanto, la gestión térmica efectiva es crucial para garantizar la fiabilidad y el rendimiento superior.