El estrés mecánico se demuestra en el proceso de fabricación de FET de nanohojas. En particular, la inestabilidad mecánica no deseada derivada de la gravedad durante la liberación del canal se cubre en detalle con la ayuda de simulaciones 3D. Los resultados de la simulación muestran la debilidad física de las nanohojas suspendidas y el impacto del grosor de la nanohoja. Se sugiere la ingeniería de espaciadores internos basada en la geometría y la propiedad elástica para una mejor estabilidad mecánica. Se prefiere la formación de una amplia área de contacto entre el espaciador interno y la nanohoja, así como la aplicación de un material dieléctrico de espaciador rígido.