En este estudio, se fabricaron transistores de película delgada basados en SnO dopado con Li procesado por sol-gel en sustratos de SiO/p+ Si. Se investigó la influencia del dopante de Li (en % en peso) en las características estructurales, químicas, ópticas y eléctricas. Al agregar un 0.5 % en peso de dopante de Li, el proceso de formación de vacancias de oxígeno se suprimió con éxito. Su menor tamaño iónico y su fuerte fuerza de enlace hicieron posible que el Li funcionara como un supresor de vacancias de oxígeno. Los TFTs fabricados que consisten en películas semiconductoras de SnO dopadas con un 0.5 % en peso de Li proporcionaron una movilidad de campo en un régimen de saturación de 2.0 cm/Vs y un valor de I/I de 1 x 10 y mostraron un modo de operación de mejora. La disminución de las vacancias de oxígeno dentro de los TFTs de SnO con un 0.5 % de dopante de Li mejoró la estabilidad del sesgo negativo de los TFTs.