La eficiencia de extracción de luz baja (LEE) sigue siendo un cuello de botella crítico en el rendimiento de los microdiodos emisores de luz (micro-LEDs) contemporáneos. Este estudio presenta un enfoque innovador para mejorar la LEE de los micro-LEDs de película delgada basados en nitruro de galio (GaN) mediante la integración de una pared lateral inclinada con cristales fotónicos (PhCs). Las simulaciones tridimensionales de dominio temporal de diferencia finita (FDTD) revelan que el diseño de la pared lateral inclinada aumenta significativamente la probabilidad de escape de la luz, mejorando así la LEE. Además, la estructura de los PhCs mejora aún más la LEE al permitir que más luz se propague en los conos de escape a través de la difracción. Se logran resultados óptimos cuando el ángulo de la pared lateral inclinada es de 28 grados y los PhCs presentan un período de 220 nm, un factor de llenado de 0.8 y una profundidad de 3 m, lo que resulta en una LEE máxima de 36.47%, superando sustancialmente la LEE de los micro-LEDs TFFC planos convencionales. Estos resultados proporcionan valiosas pautas de diseño para el desarrollo de micro-LEDs de GaN de alta eficiencia.