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Rendimiento del factor de rendimiento del dieléctrico de compuerta de alta K de 28 nm bajo tratamiento DPN a diferentes temperaturas de recocido

Autores: Chen, Chii-Wen; Wang, Shea-Jue; Hsieh, Wen-Ching; Chen, Jian-Ming; Jong, Te; Lan, Wen-How; Wang, Mu-Chun

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2020

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Acceso abierto

Artículo científico
2020

Rendimiento del factor de rendimiento del dieléctrico de compuerta de alta K de 28 nm bajo tratamiento DPN a diferentes temperaturas de recocido


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Investigar
Integridad
Circuitos
Energía
Almacenamiento de carga
Nano-nodo

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 37

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
El factor es un índice razonable para investigar la integridad de circuitos o dispositivos en términos de sus capacidades de almacenamiento de energía o carga. Utilizamos esta figura de mérito para explorar la calidad de deposición de dieléctricos de compuerta de alta constante dieléctrica de nano-nodo mediante nitridación por plasma desacoplado a diferentes temperaturas con una concentración fija de nitrógeno. Esto es muy importante en aplicaciones de radiofrecuencia. Desde el punto de vista del factor, el dispositivo tratado a una temperatura de recocido más alta demuestra claramente un mejor valor de factor. Otra observación interesante es la aparición de dos valles en las características, que están fuertemente relacionados con la capacitancia parásita en serie, el efecto túnel o ambos.

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