Rendimiento del factor de rendimiento del dieléctrico de compuerta de alta K de 28 nm bajo tratamiento DPN a diferentes temperaturas de recocido
Autores: Chen, Chii-Wen; Wang, Shea-Jue; Hsieh, Wen-Ching; Chen, Jian-Ming; Jong, Te; Lan, Wen-How; Wang, Mu-Chun
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
Rendimiento del factor de rendimiento del dieléctrico de compuerta de alta K de 28 nm bajo tratamiento DPN a diferentes temperaturas de recocido
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Investigar
Integridad
Circuitos
Energía
Almacenamiento de carga
Nano-nodo
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 37
Citaciones: Sin citaciones
El factor es un índice razonable para investigar la integridad de circuitos o dispositivos en términos de sus capacidades de almacenamiento de energía o carga. Utilizamos esta figura de mérito para explorar la calidad de deposición de dieléctricos de compuerta de alta constante dieléctrica de nano-nodo mediante nitridación por plasma desacoplado a diferentes temperaturas con una concentración fija de nitrógeno. Esto es muy importante en aplicaciones de radiofrecuencia. Desde el punto de vista del factor, el dispositivo tratado a una temperatura de recocido más alta demuestra claramente un mejor valor de factor. Otra observación interesante es la aparición de dos valles en las características, que están fuertemente relacionados con la capacitancia parásita en serie, el efecto túnel o ambos.
Descripción
El factor es un índice razonable para investigar la integridad de circuitos o dispositivos en términos de sus capacidades de almacenamiento de energía o carga. Utilizamos esta figura de mérito para explorar la calidad de deposición de dieléctricos de compuerta de alta constante dieléctrica de nano-nodo mediante nitridación por plasma desacoplado a diferentes temperaturas con una concentración fija de nitrógeno. Esto es muy importante en aplicaciones de radiofrecuencia. Desde el punto de vista del factor, el dispositivo tratado a una temperatura de recocido más alta demuestra claramente un mejor valor de factor. Otra observación interesante es la aparición de dos valles en las características, que están fuertemente relacionados con la capacitancia parásita en serie, el efecto túnel o ambos.