Las películas de máscara dura de carbono amorfo (ACHM) se han aplicado ampliamente como componentes protectores y máscaras de grabado duro en procesos de litografía y grabado en seco. La capacidad de litografía depende directamente de la cobertura de paso (SC) del ACHM. Una SC deficiente puede afectar la protección de los patrones del dispositivo durante el proceso de grabado y provocar la aparición de marcas de superposición en la litografía. En este trabajo, el proceso de procesamiento de la película ACHM se ha diseñado y optimizado para lograr una mejor SC a través del estudio comparativo de los precursores de CH y CH a diferentes temperaturas. Además, se propone un diseño de experimento de parámetros de proceso (DOE), con CH como precursor para optimizar la velocidad de grabado en seco. Los resultados del experimento muestran que el rendimiento del grabado en seco se mejora con una potencia, temperatura y flujo de CH más altos, y con un espacio más pequeño, menor presión y menor flujo de gas portador. Se obtiene una relación de grabado selectivo de SiO y SiN, con una ventana de proceso mejorada. El proceso de eliminación de la película ACHM también se valida mediante la caracterización de la rugosidad de la superficie. Los resultados demostrados pueden ser instructivos en cuanto a la optimización del proceso de grabado en la fabricación de semiconductores en el futuro.