Este documento presenta el diseño de un sistema de control de presión de ultra alto vacío basado en un controlador difuso y su evaluación de rendimiento para una bomba de vacío de iones por sputtering utilizada en el anillo de almacenamiento de electrones en el Instituto de Investigación de Luz Sincrotrón (Organización Pública) en Tailandia. La producción de luz sincrotrón requiere tecnología de vacío avanzada para mantener la estabilidad y prevenir la interferencia de electrones en un entorno de presión de ultra alto vacío de aproximadamente 10 Torr. La presencia de calor y ruptura de gas de la pared del tubo puede afectar la calidad de la luz en esa área. El instituto actualmente utiliza una bomba de vacío de iones por sputtering que es costosa y requiere un esfuerzo significativo para reducir rápidamente los aumentos de presión en el área. Mantener una presión de vacío estable durante el movimiento de electrones es esencial para garantizar la calidad de la luz. Esta investigación demuestra un procedimiento para evaluar el rendimiento de una bomba de vacío de iones por sputtering utilizando un modelo matemático generado por una red neuronal y el software Molflow+. El modelo se utiliza para estimar la velocidad de bombeo de la bomba de vacío y para diseñar un sistema de control difuso para el sistema de ultra alto vacío. El estudio también incluye una verificación de la tasa de fuga del sistema de vacío.