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Lazyrs: mejorando el rendimiento y la fiabilidad de los sistemas de almacenamiento basados en flash TLC/QLC de alta capacidad mediante la reprogramación perezosa

Autores: Kim, Beomjun; Kim, Myungsuk

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2023

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Acceso abierto

Artículo científico
2023

Lazyrs: mejorando el rendimiento y la fiabilidad de los sistemas de almacenamiento basados en flash TLC/QLC de alta capacidad mediante la reprogramación perezosa


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Nand
Programación
Esquema de reprogramación perezosa
Latencia
Fiabilidad del flash
Rendimiento de escritura

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 27

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
Proponemos un nuevo esquema de programación NAND llamado esquema de reprogramación perezosa (LazyRS) que divide una operación de programa en dos etapas, donde la segunda etapa se retrasa hasta que sea necesaria. LazyRS optimiza la latencia del programa al omitir la segunda etapa si no es necesaria. Un intervalo inactivo antes de la segunda etapa también mejora la confiabilidad del flash. Para maximizar el beneficio de LazyRS, un FTL consciente de LazyRS ajusta la longitud de un intervalo inactivo dinámicamente según las características cambiantes de la carga de trabajo. Los resultados experimentales muestran que el FTL consciente de LazyRS puede mejorar eficientemente el rendimiento de escritura y la confiabilidad de los sistemas de almacenamiento basados en flash hasta 2.6 veces y 31.2%, respectivamente.

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