Lazyrs: mejorando el rendimiento y la fiabilidad de los sistemas de almacenamiento basados en flash TLC/QLC de alta capacidad mediante la reprogramación perezosa
Autores: Kim, Beomjun; Kim, Myungsuk
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Lazyrs: mejorando el rendimiento y la fiabilidad de los sistemas de almacenamiento basados en flash TLC/QLC de alta capacidad mediante la reprogramación perezosa
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Nand
Programación
Esquema de reprogramación perezosa
Latencia
Fiabilidad del flash
Rendimiento de escritura
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 27
Citaciones: Sin citaciones
Proponemos un nuevo esquema de programación NAND llamado esquema de reprogramación perezosa (LazyRS) que divide una operación de programa en dos etapas, donde la segunda etapa se retrasa hasta que sea necesaria. LazyRS optimiza la latencia del programa al omitir la segunda etapa si no es necesaria. Un intervalo inactivo antes de la segunda etapa también mejora la confiabilidad del flash. Para maximizar el beneficio de LazyRS, un FTL consciente de LazyRS ajusta la longitud de un intervalo inactivo dinámicamente según las características cambiantes de la carga de trabajo. Los resultados experimentales muestran que el FTL consciente de LazyRS puede mejorar eficientemente el rendimiento de escritura y la confiabilidad de los sistemas de almacenamiento basados en flash hasta 2.6 veces y 31.2%, respectivamente.
Descripción
Proponemos un nuevo esquema de programación NAND llamado esquema de reprogramación perezosa (LazyRS) que divide una operación de programa en dos etapas, donde la segunda etapa se retrasa hasta que sea necesaria. LazyRS optimiza la latencia del programa al omitir la segunda etapa si no es necesaria. Un intervalo inactivo antes de la segunda etapa también mejora la confiabilidad del flash. Para maximizar el beneficio de LazyRS, un FTL consciente de LazyRS ajusta la longitud de un intervalo inactivo dinámicamente según las características cambiantes de la carga de trabajo. Los resultados experimentales muestran que el FTL consciente de LazyRS puede mejorar eficientemente el rendimiento de escritura y la confiabilidad de los sistemas de almacenamiento basados en flash hasta 2.6 veces y 31.2%, respectivamente.