Se aplicó un enfoque de ingeniería para modificar las capas centrales de la memoria flash de atrapamiento de carga (CTF): la capa de bloqueo, la capa de atrapamiento de carga y la capa de túnel. La dopaje de Ti en la capa de atrapamiento de carga y el uso de HfO dopado con Si para la capa de túnel podrían optimizar la captura de carga y el control de fuga. Este diseño mejora las velocidades de programación y borrado y aumenta la estabilidad general del dispositivo al crear más campos de esquina y utilizar el efecto de bloqueo de Coulomb. Los resultados experimentales demuestran una ventana de memoria más grande y una mejor retención de carga para el nuevo dispositivo con el mismo grosor de capa de atrapamiento de carga. Estos hallazgos significan el avance de la nueva memoria CTF en equilibrar la programación rápida y la retención de carga a largo plazo. La antigua contradicción entre la captura y retención de carga podría resolverse parcialmente utilizando este método de ingeniería.