Mejora de la tensión de ruptura mediante el uso de una compuerta en forma de corona
Autores: Park, Dong Gyu; Kim, Hyunwoo; Kim, Jang Hyun
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Mejora de la tensión de ruptura mediante el uso de una compuerta en forma de corona
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Propuesto
Voltaje de ruptura
Espaciador de pared lateral
IGBT
Campo eléctrico
Compuerta de trinchera
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 37
Citaciones: Sin citaciones
En este estudio, se propone un portillo en forma de corona formado por un separador de pared lateral en transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) para mejorar la tensión de ruptura.
Descripción
En este estudio, se propone un portillo en forma de corona formado por un separador de pared lateral en transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) para mejorar la tensión de ruptura.