Optimización de la ionización por impacto en transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor para mejorar la tensión de ruptura y la resistencia específica de encendido
Autores: Chen, Yanning; Song, Yixian; Wu, Bo; Liu, Fang; Deng, Yongfeng; Kang, Pingrui; Huang, Xiaoyun; Wu, Yongyu; Gao, Dawei; Xu, Kai
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Optimización de la ionización por impacto en transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor para mejorar la tensión de ruptura y la resistencia específica de encendido
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Transistores de efecto de campo de óxido metálico
Voltaje de ruptura
Resistencia específica en encendido
Bipolar-CMOS-DMOS
Procedimientos de dopaje
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 41
Citaciones: Sin citaciones
Durante las últimas décadas, los transistores de efecto de campo de óxido de metal-semiconductor (MOSFETs) han sido la aplicación más importante en circuitos integrados. En ciertas aplicaciones de circuitos, la tensión de ruptura y la resistencia específica en encendido sirven como parámetros eléctricos clave. Este artículo introduce un enfoque fácilmente accesible para mejorar la tensión de ruptura fuente-drenaje (BVDS) de los MOSFETs basados en la plataforma Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) sin costos adicionales. Al refinar cuidadosamente los pasos del proceso y las complejidades de los procedimientos de dopaje, las tensiones de ruptura de NMOS y PMOS experimentaron incrementos de 3.4 V y 4.6 V, lo que se traduce en mejoras del 31.5% y 50.3%. Las simulaciones paralelas ofrecen explicaciones mecanísticas perspicaces a través de herramientas de simulación, facilitando resultados superiores. Esta iniciativa sienta las bases significativas para el avance de un marco de desarrollo de proceso BCD integral.
Descripción
Durante las últimas décadas, los transistores de efecto de campo de óxido de metal-semiconductor (MOSFETs) han sido la aplicación más importante en circuitos integrados. En ciertas aplicaciones de circuitos, la tensión de ruptura y la resistencia específica en encendido sirven como parámetros eléctricos clave. Este artículo introduce un enfoque fácilmente accesible para mejorar la tensión de ruptura fuente-drenaje (BVDS) de los MOSFETs basados en la plataforma Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) sin costos adicionales. Al refinar cuidadosamente los pasos del proceso y las complejidades de los procedimientos de dopaje, las tensiones de ruptura de NMOS y PMOS experimentaron incrementos de 3.4 V y 4.6 V, lo que se traduce en mejoras del 31.5% y 50.3%. Las simulaciones paralelas ofrecen explicaciones mecanísticas perspicaces a través de herramientas de simulación, facilitando resultados superiores. Esta iniciativa sienta las bases significativas para el avance de un marco de desarrollo de proceso BCD integral.