Este artículo presenta un enfoque innovador para aliviar la interferencia Z en la memoria flash NAND 3D proponiendo una estructura optimizada de capa de trampa de nitruro confinado. La interferencia Z plantea un desafío significativo en la memoria flash NAND 3D, especialmente con la reducción en el espaciado de celdas para acomodar un mayor número de memorias flash NAND 3D apiladas verticalmente. Mientras que el dispositivo de capa de trampa de nitruro confinado diseñado para el aislamiento completo de la capa de atrapamiento en tres dimensiones reduce efectivamente la interferencia Z, los resultados mostraron variaciones sustanciales basadas en la estructura confinada. Para aclarar este problema, comparamos tres estructuras distintas de capa de trampa de nitruro confinado e investigamos su impacto en la interferencia Z. Nuestros hallazgos indican que la estructura rectangular mostró la mitigación más significativa, lo que implica que las diferencias en el campo eléctrico aplicado al canal de polisilicio, influenciado por la estructura, y el aumento en la longitud efectiva del canal son estrategias efectivas para aliviar la interferencia Z. La estructura propuesta se somete a un examen exhaustivo a través de simulaciones de diseño asistido por ordenador de tecnología (TCAD). Además, presentamos un flujo de proceso práctico diseñado para minimizar la interferencia Z.