Las propiedades de conmutación resistiva de los dispositivos memristivos 1T-1R basados en HfO se modifican eléctricamente al agregar capas ultrafinas de AlO en el dispositivo memristivo. Tres tipos diferentes de pilas memristivas se fabrican en la tecnología CMOS de 130 nm de IHP. Se discuten las propiedades de conmutación de los dispositivos memristivos con respecto a los voltajes de formación, el estado de baja resistencia y las características del estado de alta resistencia y sus variabilidades. Las características experimentales I-V de las operaciones de establecimiento y restablecimiento se evalúan utilizando el modelo de contacto de punto cuántico. Se discuten las propiedades del filamento de conducción en los estados de encendido y apagado de los dispositivos memristivos con respecto a los parámetros del modelo obtenidos de la adaptación de QPC.