La generación de ondas terahercios por antenas fotoconductoras en espiral fabricadas en películas de InGaAs de baja temperatura y superredes InGaAs/InAlAs se estudia mediante el método de espectroscopia de dominio temporal terahercios. Las estructuras se obtuvieron por epitaxia de haces moleculares en sustratos de GaAs e InP con orientaciones cristalográficas de superficie de (100) y (111)A. Las mediciones de bomba-sonda en la geometría de transmisión y las mediciones del efecto Hall se utilizan para caracterizar las propiedades de las estructuras de LT-InGaAs y LT-InGaAs/InAlAs. Se encontró que la potencia de radiación terahercios es casi cuatro veces mayor para muestras de LT-InGaAs con orientación de sustrato (111)A en comparación con (100). La adición de capas de LT-InAlAs en la estructura con orientación de sustrato (111)A resulta en un aumento de dos órdenes de magnitud de la resistividad de la estructura. Se demuestra la posibilidad de crear antenas fotoconductoras basadas en LT-InGaAs/InAlAs con alta resistencia en oscuridad sin dopaje de Be compensatorio.