En este documento, proponemos una nueva configuración para mejorar el ancho de banda de aislamiento de interruptores pasivos de un solo polo-doble tiro (SPDT) MMIC de transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) que operan en el rango de frecuencia de milímetros. Mientras que la configuración convencional adoptaba carga de punta abierta para la compensación de la capacitancia en estado de reposo, en nuestro enfoque se introdujeron puntas radiales para mejorar el ancho de banda operativo del interruptor SPDT. Implementada en tecnología GaAs pHEMT de 0.15 m, la configuración propuesta mostró una pérdida de inserción medida de menos de 2.5 dB con un nivel de aislamiento superior a 30 dB en el rango de frecuencia de 33 GHz a 44 GHz. En términos del ancho de banda de operación, la configuración propuesta logró un ancho de banda fraccional del 28.5% en comparación con el 12.3% del enfoque convencional. El rendimiento de ancho de banda superior se atribuye principalmente a la naturaleza menos dependiente de la frecuencia de las puntas radiales.