Este artículo propone métodos efectivos de medición y cálculo de la temperatura interna de los diodos del Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT) y el diodo montado en el mismo encapsulado. Se propone un modelo térmico compacto no lineal del dispositivo considerado. Este modelo tiene en cuenta los fenómenos de auto-calentamiento en ambos diodos y los acoplamientos térmicos mutuos entre ellos. En el modelo propuesto, se tiene en cuenta la influencia de la temperatura interna del dispositivo en las resistencias térmicas propias y de transferencia. Se describen los métodos de medición de cada una de las impedancias térmicas transitorias propias y de transferencia que ocurren en este modelo, y se analizan los factores que influyen en el error de medición de estos métodos. Se muestran y discuten algunos resultados que ilustran las propiedades térmicas de los dispositivos investigados, incluyendo el IGBT y el diodo antiparalelo en el mismo encapsulado. Se presentan cálculos que ilustran la utilidad del modelo térmico compacto propuesto y se comparan con los resultados de las mediciones. Se demuestra que las diferencias entre la temperatura interna de ambos diodos incluidos en el encapsulado TO-247 pueden superar incluso los 15 K.