Este trabajo tiene como objetivo estimar la temperatura de un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET), adivinando en tiempo real la resistencia dinámica entre drenador y surtidor durante la operación del MOSFET en convertidores LLC (Inductor-Inductor-Capacitor) generalmente adoptados en Fuentes de Alimentación Conmutadas. La tarea se realiza utilizando un circuito de medición de voltaje en estado activo que permite sujetar el voltaje de alto voltaje entre drenador y surtidor durante el estado inactivo. Los resultados de este método se han comparado con la temperatura medida con precisión utilizando un dado co-empaquetado como sensor térmico.