En este artículo, se propone un nuevo método para evaluar la degradación por electrones calientes en HEMTs de potencia AlGaN/GaN con puerta p-GaN. El método aprovecha un analizador de parámetros comercial para estudiar las derivaciones de V y R inducidas por el estrés en estado de encendido a V = 50 V. Los resultados muestran que la derivación de V y parte de la degradación de R inducida por el estrés en estado de encendido son recuperables y probablemente debidas a la ionización de aceptores relacionados con el C en el buffer. Esto fue confirmado por una caracterización preliminar de trampas en el buffer relacionadas con el C. Por el contrario, la parte restante de la degradación de R (no recuperada en 1000 s) se vio fuertemente afectada por el tratamiento de superficie. El nivel de corriente establecido durante el estrés en estado de encendido afectó la cantidad de degradación no recuperable, confirmando la participación de electrones calientes. Gracias al monitoreo de la recuperación de los parámetros, el método propuesto proporciona importantes conocimientos sobre los mecanismos físicos que rigen la degradación de los parámetros. Esto amplía las capacidades de los sistemas de última generación, sin necesidad de desarrollar configuraciones personalizadas.