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Cerámicas de Ferromolibdato de Estroncio/Estroncio Molibdato Nanogranulares-Un Material Magnético que Posee una Estructura Natural de Núcleo-Cáscara

Autores: Suchaneck, Gunnar; Artiukh, Evgenii; Kalanda, Nikolay; Yarmolich, Marta; Gerlach, Gerald

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2024

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Acceso abierto

Artículo científico
2024

Cerámicas de Ferromolibdato de Estroncio/Estroncio Molibdato Nanogranulares-Un Material Magnético que Posee una Estructura Natural de Núcleo-Cáscara


Categoría

Ciencias de los Materiales

Subcategoría

Materiales electrónicos, ópticos y magnéticos

Palabras clave

Demostrar
Nanogranular
Ferromolibdato de estroncio
Molibdato de estroncio
Magnetorresistencia de túnel
Flujo magnético

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 22

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
En este trabajo, demostramos la preparación de cerámicas de núcleo y cubierta de ferromolibdato de estroncio/molibdato de estroncio nanogranulares de fácil fabricación y examinamos sus propiedades, incluyendo la magnetorresistencia túnel, la sensibilidad al campo magnético y el coeficiente de temperatura de la magnetorresistencia túnel. La magnetorresistencia túnel de las cerámicas de núcleo y cubierta de ferromolibdato de estroncio/molibdato de estroncio nanogranulares fue modelada, obteniendo valores adecuados para aplicaciones de sensores magnetorresistivos. Tales estructuras poseen un pico estrecho de sensibilidad al flujo magnético ubicado alrededor de 80 mT. Para la medición del flujo magnético, se deben aplicar gránulos de dominio único con comportamiento superparamagnético. Las sensibilidades al flujo magnético TMR predichas para gránulos con comportamiento superparamagnético ascienden a aproximadamente 7.7% T y 1.5% T para tamaños de gránulos de 3 nm y 5 nm, respectivamente. Un inconveniente de la magnetorresistencia túnel de tales cerámicas nanogranulares de núcleo y cubierta es el valor inaceptablemente alto del coeficiente de temperatura. Los valores aceptables, inferiores al 2% K, se obtienen solo a bajas temperaturas (menos de 100 K) o a grandes densidades de flujo magnético (superando 6 T). Por lo tanto, se debe adoptar una configuración de puente de Wheatstone para el diseño de sensores magnetorresistivos para compensar el efecto de la temperatura.

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