Los dispositivos de PCSS basados en GaN con campos de ruptura altos
Autores: Gaddy, Matthew; Kuryatkov, Vladimir; Wilson, Nicholas; Neuber, Andreas; Ness, Richard; Nikishin, Sergey
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2021
Acceso abierto
Artículo científico
2021
Los dispositivos de PCSS basados en GaN con campos de ruptura altos
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Nitruro de galio
Interruptores de alto voltaje
PCSS
Estructura de mesa
Resistencia al campo de ruptura
Plasma acoplado inductivamente
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 32
Citaciones: Sin citaciones
Se estudió la idoneidad de los PCSS de GaN (interruptores semiconductores fotoconductivos) como interruptores de alto voltaje (>50 kV) utilizando una variedad de obleas de GaN semiaislante disponibles comercialmente como material base.
Descripción
Se estudió la idoneidad de los PCSS de GaN (interruptores semiconductores fotoconductivos) como interruptores de alto voltaje (>50 kV) utilizando una variedad de obleas de GaN semiaislante disponibles comercialmente como material base.