Influencia de la localización de los átomos de Ge dentro de la capa superficial Si(001)(4 x 2) en los estados de un electrón semicore
Autores: Tkachuk, Olha I.; Terebinskaya, Maria I.; Lobanov, Victor V.; Arbuznikov, Alexei V.
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2016
Acceso abierto
Artículo científico
2016
Influencia de la localización de los átomos de Ge dentro de la capa superficial Si(001)(4 x 2) en los estados de un electrón semicore
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería de Sistemas
Palabras clave
Germanio
Superficie Si(001)(4 x 2)
Cálculos DFT
Desplazamientos químicos
átomos de Ge
Distribución de carga
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 22
Citaciones: Sin citaciones
Los complejos de adsorción de germanio en la superficie reconstruida de Si(001)(4 x 2) han sido simulados por el clúster SiGe. Para los átomos de Ge ubicados en la capa superficial, los cálculos DFT (B3LYP/6-31G**) de sus energías de nivel seminúcleo 3d han mostrado una correlación clara entre los desplazamientos químicos y el arreglo mutuo de los átomos de Ge. Dicho desplazamiento es positivo cuando solo un átomo de Ge penetra en el sustrato cristalino, mientras que es negativo para ambos átomos de Ge que penetran. Interpretamos estos resultados en términos de la distribución de carga en los clústeres bajo consideración.
Descripción
Los complejos de adsorción de germanio en la superficie reconstruida de Si(001)(4 x 2) han sido simulados por el clúster SiGe. Para los átomos de Ge ubicados en la capa superficial, los cálculos DFT (B3LYP/6-31G**) de sus energías de nivel seminúcleo 3d han mostrado una correlación clara entre los desplazamientos químicos y el arreglo mutuo de los átomos de Ge. Dicho desplazamiento es positivo cuando solo un átomo de Ge penetra en el sustrato cristalino, mientras que es negativo para ambos átomos de Ge que penetran. Interpretamos estos resultados en términos de la distribución de carga en los clústeres bajo consideración.