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Las propiedades eléctricas de las películas delgadas depositadas por plasma derivadas de

Autores: Al-Jumaili, Ahmed; Alancherry, Surjith; Bazaka, Kateryna; Jacob, Mohan V.

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2017

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Acceso abierto

Artículo científico
2017

Las propiedades eléctricas de las películas delgadas depositadas por plasma derivadas de


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Precursores derivados de plantas
Deposición química en fase vapor
Películas delgadas
Síntesis mejorada por plasma
Estructuras MIM
Constante dieléctrica

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 36

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
Inherente volátil a presión atmosférica y temperatura ambiente, los precursores derivados de plantas presentan un interesante precursor amigable para la salud humana para la deposición química en fase vapor de películas delgadas. Las propiedades eléctricas de las películas derivadas de (geranio) fueron investigadas en estructuras metal-aislante-metal (MIM). Se depositaron películas delgadas tipo polímero utilizando síntesis mejorada por plasma bajo diversas potencias de entrada de plasma. Las características de los MIM fabricados de esta manera fueron luego estudiadas para determinar el mecanismo de conducción de corriente continua (CC) de las capas de polímero de plasma. Se encontró que la capacitancia de las películas depositadas por plasma disminuye a bajas frecuencias (C ~ 10) y se mantiene en un valor relativamente constante (C ~ 10) a altas frecuencias. Estas películas también tienen una constante dieléctrica baja en un amplio rango de frecuencias que disminuye a medida que aumenta la potencia de RF de entrada. La conductividad se determinó en alrededor de 10-10 Ohm m, lo cual es típico para materiales aislantes. El mecanismo de Richardson-Schottky podría dominar el transporte de carga en la región de campo más alto para las películas delgadas de geranio.

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