Se propone un transistor de película delgada de poli-Si de baja fuga que presenta una capa de amortiguación de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) y extensión de fuente/drenaje (SDE) mediante simulación de diseño asistido por computadora (TCAD). Esta arquitectura reduce efectivamente la corriente de fuga al suprimir dos mecanismos de generación de corriente de fuga con poca pérdida de corriente de encendido. La capa de amortiguación de silicio amorfo con un gran espacio de energía de banda () suprime tanto la generación térmica como la corriente de fuga mínima, lo que conduce a una mayor relación corriente de encendido/apagado. Además, la formación de una región ligeramente dopada cerca del drenaje alivia la generación mejorada por campo en el estado de apagado al reducir el campo eléctrico. Los resultados de la simulación TCAD muestran que el TFT propuesto muestra una corriente de fuga más de tres órdenes de magnitud más baja que los TFT de silicio policristalino de baja temperatura (LTPS), manteniendo la corriente de encendido.