Este documento de revisión categoriza los sensores de temperatura basados en MOS (metal-óxido-semiconductor) de última generación según sus principios de detección térmica, incluyendo: tipo I, los sensores de temperatura MOS lógicos, de saturación y lineales; tipo II, los sensores de temperatura MOS por debajo del umbral; y tipo III, los sensores de temperatura basados en fugas de compuerta. También se discuten en detalle las consideraciones de diseño y desafíos de los sensores de temperatura basados en MOS, en términos de área, eficiencia energética, voltaje de suministro, inexactitud, ruido, así como variaciones en el proceso y suministro de energía. Basándose en las discusiones anteriores, el documento concluye que los futuros sensores de temperatura basados en MOS probablemente se basarán en la operación MOS por debajo del umbral, con mejores compensaciones entre área, eficiencia energética y precisión, y con una sensibilidad y nivel de suministro de energía reducidos, así como un método de calibración de menor costo y menos puntos.