La tecnología de diodo láser de GaN para comunicaciones de luz visible
Autores: Najda, Stephen P.; Perlin, Piotr; Suski, Tadek; Marona, Lucja; Leszczynski, Mike; Wisniewski, Przemek; Stanczyk, Szymon; Schiavon, Dario; Slight, Thomas; Watson, Malcolm A.; Gwyn, Steffan; Kelly, Anthony E.; Watson, Scott
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
La tecnología de diodo láser de GaN para comunicaciones de luz visible
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Nitruro de galio
Diodos láser
Comunicaciones de luz visible
Operación de alta frecuencia
Fibras ópticas de plástico
Retroalimentación distribuida
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 34
Citaciones: Sin citaciones
Los diodos láser de nitruro de galio (GaN) se consideran para comunicaciones de luz visible (VLC) en espacio libre, bajo el agua y en fibras ópticas de plástico (POFs). Se presenta una revisión de resultados recientes, mostrando la operación de alta frecuencia de los diodos láser de AlGaInN con tasas de transmisión de datos de hasta 2.5 Gbit/s en espacio libre y bajo el agua, y anchos de banda de hasta 1.38 GHz a través de 10 m de fibra óptica de plástico. Se fabrican diodos láser de GaN de retroalimentación distribuida (DFB) para lograr una operación de una sola frecuencia. Informamos sobre emisiones de una sola longitud de onda de los diodos láser de GaN DFB con una relación de supresión de modo lateral (SMSR) superior a 35 dB.
Descripción
Los diodos láser de nitruro de galio (GaN) se consideran para comunicaciones de luz visible (VLC) en espacio libre, bajo el agua y en fibras ópticas de plástico (POFs). Se presenta una revisión de resultados recientes, mostrando la operación de alta frecuencia de los diodos láser de AlGaInN con tasas de transmisión de datos de hasta 2.5 Gbit/s en espacio libre y bajo el agua, y anchos de banda de hasta 1.38 GHz a través de 10 m de fibra óptica de plástico. Se fabrican diodos láser de GaN de retroalimentación distribuida (DFB) para lograr una operación de una sola frecuencia. Informamos sobre emisiones de una sola longitud de onda de los diodos láser de GaN DFB con una relación de supresión de modo lateral (SMSR) superior a 35 dB.