La polarización ferroeléctrica facilita la operación de baja tensión de las memorias flash NAND 3D
Autores: Ham, Ilsik; Jeong, Youngseok; Baik, Seung Jae; Kang, Myounggon
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2020
Acceso abierto
Artículo científico
2020
La polarización ferroeléctrica facilita la operación de baja tensión de las memorias flash NAND 3D
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Propuesto
Estructura
Ferroeléctrico
Película delgada
Polarización
Voltaje
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 61
Citaciones: Sin citaciones
En este documento, proponemos una estructura novedosa que permite la operación a bajo voltaje de la memoria flash NAND tridimensional (3D).
Descripción
En este documento, proponemos una estructura novedosa que permite la operación a bajo voltaje de la memoria flash NAND tridimensional (3D).