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La inestabilidad por sesgo de temperatura de los MOSFETs: procesos físicos, modelos y predicción

Autores: Zhang, Jian Fu; Gao, Rui; Duan, Meng; Ji, Zhigang; Zhang, Weidong; Marsland, John

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2022

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Acceso abierto

Artículo científico
2022

La inestabilidad por sesgo de temperatura de los MOSFETs: procesos físicos, modelos y predicción


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Tecnología CMOS
MOSFET
Fiabilidad
Procesos de envejecimiento
Inestabilidades de temperatura por sesgo negativo
Inestabilidades de temperatura por sesgo positivo

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 29

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
La tecnología CMOS domina la industria de semiconductores, y la fiabilidad de los MOSFETs es un tema clave. Para optimizar el diseño de chips, se deben realizar compensaciones entre fiabilidad, velocidad, consumo de energía y coste. Esto requiere modelado y predicción de la inestabilidad de dispositivos, y una de las principales fuentes de inestabilidad es el envejecimiento de los dispositivos, donde los defectos se acumulan gradualmente y eventualmente causan fallas en los circuitos.

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