La inestabilidad por sesgo de temperatura de los MOSFETs: procesos físicos, modelos y predicción
Autores: Zhang, Jian Fu; Gao, Rui; Duan, Meng; Ji, Zhigang; Zhang, Weidong; Marsland, John
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
La inestabilidad por sesgo de temperatura de los MOSFETs: procesos físicos, modelos y predicción
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Tecnología CMOS
MOSFET
Fiabilidad
Procesos de envejecimiento
Inestabilidades de temperatura por sesgo negativo
Inestabilidades de temperatura por sesgo positivo
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 29
Citaciones: Sin citaciones
La tecnología CMOS domina la industria de semiconductores, y la fiabilidad de los MOSFETs es un tema clave. Para optimizar el diseño de chips, se deben realizar compensaciones entre fiabilidad, velocidad, consumo de energía y coste. Esto requiere modelado y predicción de la inestabilidad de dispositivos, y una de las principales fuentes de inestabilidad es el envejecimiento de los dispositivos, donde los defectos se acumulan gradualmente y eventualmente causan fallas en los circuitos.
Descripción
La tecnología CMOS domina la industria de semiconductores, y la fiabilidad de los MOSFETs es un tema clave. Para optimizar el diseño de chips, se deben realizar compensaciones entre fiabilidad, velocidad, consumo de energía y coste. Esto requiere modelado y predicción de la inestabilidad de dispositivos, y una de las principales fuentes de inestabilidad es el envejecimiento de los dispositivos, donde los defectos se acumulan gradualmente y eventualmente causan fallas en los circuitos.