Se cultivaron capas gruesas de InGaN sin montículos en GaN polar N en zafiro mediante epitaxia de fase vapor orgánica metálica utilizando un esquema de crecimiento digital y H como surfactante. Introduciendo Mg para actuar como un surfactante adicional y optimizando el tiempo de pulso de H, se obtuvieron composiciones de In de hasta 17% en epilayers de 100 nm de espesor. Aunque el Mg afectó adversamente la incorporación de In, permitió mantener una buena morfología de la superficie mientras disminuía la temperatura de crecimiento de InGaN, lo que resultó en un aumento neto en la composición de In. Se mapeó el espacio de parámetros de temperatura de crecimiento y flujo de precursor de Mg para obtener epilayers sin montículos.