Klystron de interacción extendida de banda ancha G con estructura de salida de onda viajera
Autores: Xu, Xiaotao; Li, Hengliang; Yuan, Xuesong; Chen, Qingyun; Zu, Yifan; Li, Hailong; Yin, Yong; Yan, Yang
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2022
Acceso abierto
Artículo científico
2022
Klystron de interacción extendida de banda ancha G con estructura de salida de onda viajera
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Túnel de haz de gran tamaño
Klystron de interacción extendida de banda G
Características de ancho de banda
Cavidades de grupo
Modos de onda viajera
Potencia de salida
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 25
Citaciones: Sin citaciones
En este documento, investigamos un túnel de haz de gran tamaño, un clixtrón de interacción extendida (EIK) de banda G con una estructura de salida de onda viajera para el desarrollo de EIKs de ancho de banda amplio.
Descripción
En este documento, investigamos un túnel de haz de gran tamaño, un clixtrón de interacción extendida (EIK) de banda G con una estructura de salida de onda viajera para el desarrollo de EIKs de ancho de banda amplio.