Efectos de la irradiación gamma en las características de conmutación de los dispositivos de potencia SiC MOSFET de diferentes estructuras
Autores: Shu, Lei; Liao, Huai-Lin; Wu, Zi-Yuan; Fang, Xing-Yu; Liang, Shi-Wei; Li, Tong-De; Wang, Liang; Wang, Jun; Zhao, Yuan-Fu
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Efectos de la irradiación gamma en las características de conmutación de los dispositivos de potencia SiC MOSFET de diferentes estructuras
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Carburo de silicio
Transistor de efecto de campo de óxido metálico
Irradiación gamma
Características de conmutación
Estructuras de trinchera
Diseño asistido por computadora de tecnología
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 36
Citaciones: Sin citaciones
Las características de conmutación de los dispositivos de potencia de transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor de carburo de silicio (SiC) con diferentes estructuras fueron experimentadas después de la exposición a un entorno de irradiación gamma. Se estudiaron los resultados experimentales para el estado de encendido. Las comparaciones se muestran para dispositivos de potencia de SiC MOSFET con estructuras planas, de trinchera y doble trinchera probadas para dosis total de ionización (TID). Se observó una mayor degradación de las características de conmutación para la estructura de doble trinchera. Los mecanismos físicos para estas variaciones en las características de conmutación fueron analizados. Además, fueron confirmados por simulación de diseño asistido por computadora de tecnología (TCAD).
Descripción
Las características de conmutación de los dispositivos de potencia de transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor de carburo de silicio (SiC) con diferentes estructuras fueron experimentadas después de la exposición a un entorno de irradiación gamma. Se estudiaron los resultados experimentales para el estado de encendido. Las comparaciones se muestran para dispositivos de potencia de SiC MOSFET con estructuras planas, de trinchera y doble trinchera probadas para dosis total de ionización (TID). Se observó una mayor degradación de las características de conmutación para la estructura de doble trinchera. Los mecanismos físicos para estas variaciones en las características de conmutación fueron analizados. Además, fueron confirmados por simulación de diseño asistido por computadora de tecnología (TCAD).