Efecto de la irradiación de protones en diodos de avalancha de fotones únicos de óxido metálico complementario (CMOS)
Autores: Xun, Mingzhu; Li, Yudong; Feng, Jie; He, Chengfa; Liu, Mingyu; Guo, Qi
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2024
Acceso abierto
Artículo científico
2024
Efecto de la irradiación de protones en diodos de avalancha de fotones únicos de óxido metálico complementario (CMOS)
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Irradiación de protones
Diodos de Avalancha de Fotones Únicos CMOS
SPADs
Tasa de conteo oscuro
Probabilidad de detección de fotones
Aislamiento de trincheras poco profundas
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 54
Citaciones: Sin citaciones
Los efectos de la irradiación de protones en Diodos de Avalancha de Fotones Únicos (SPADs) CMOS se investigan en este artículo.
Descripción
Los efectos de la irradiación de protones en Diodos de Avalancha de Fotones Únicos (SPADs) CMOS se investigan en este artículo.