Investigación en curso sobre el mecanismo de fallo y el sistema de índice de evaluación del estado de salud de los módulos de potencia IGBT soldados
Autores: Kang, Yongqiang; Dang, Luzhi; Yang, Lei; Wang, Zhaoyun; Meng, Yu; Li, Shuaibing; Sun, Yapeng; Wang, Youyun; Dong, Haiying
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Investigación en curso sobre el mecanismo de fallo y el sistema de índice de evaluación del estado de salud de los módulos de potencia IGBT soldados
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Sistemas electrónicos de potencia
Estructura del paquete del módulo de potencia IGBT
Análisis del mecanismo de envejecimiento
Parámetros característicos del estado de salud
Módulos IGBT de tipo soldadura
Tecnología de monitoreo de condición
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 42
Citaciones: Sin citaciones
A medida que los requisitos de rendimiento de los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) en varios campos de sistemas electrónicos de potencia están aumentando, la estructura del paquete del módulo de potencia IGBT, el análisis del mecanismo de envejecimiento y la selección de parámetros característicos del estado de salud son de gran importancia para garantizar el funcionamiento normal de los sistemas de potencia.
Descripción
A medida que los requisitos de rendimiento de los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) en varios campos de sistemas electrónicos de potencia están aumentando, la estructura del paquete del módulo de potencia IGBT, el análisis del mecanismo de envejecimiento y la selección de parámetros característicos del estado de salud son de gran importancia para garantizar el funcionamiento normal de los sistemas de potencia.