Las características de desglose son muy importantes para los transistores de alta movilidad de electrones de GaN (HEMTs), las cuales afectan el voltaje de aplicación, la densidad de potencia, la eficiencia, etc. Con el fin de mejorar aún más el voltaje de desglose del dispositivo, es necesario llevar a cabo investigaciones sobre los mecanismos de desglose del dispositivo. Este artículo resume varios mecanismos de desglose de dispositivos de GaN, incluyendo la concentración de campo eléctrico, la corriente de fuga del buffer, la corriente de fuga de la compuerta y el desglose vertical. Para suprimir los mecanismos de desglose, se pueden desarrollar técnicas como el uso de una placa de campo, campo de superficie reducido (RESURF), barrera posterior, dieléctrico de compuerta, eliminación de sustrato y adición de canales de AlGaN. Con el continuo desarrollo de diversas tecnologías, las características de desglose de los dispositivos de GaN pueden ser plenamente exploradas, sentando las bases para mejorar el rendimiento de los sistemas electrónicos de potencia.