Investigación de la ingeniería de retroceso de fuente/drenaje y sus impactos en FinFET y GAA Nanosheet FET en el nodo de 5 nm
Autores: Wang, Dawei; Sun, Xin; Liu, Tao; Chen, Kun; Yang, Jingwen; Wu, Chunlei; Xu, Min; Zhang, Wei (David)
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Investigación de la ingeniería de retroceso de fuente/drenaje y sus impactos en FinFET y GAA Nanosheet FET en el nodo de 5 nm
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Impactos
Fuente/drenaje
Ingeniería de la cavidad
Rendimiento del dispositivo
Nanolámina de compuerta-total-entorno
GAA
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 20
Citaciones: Sin citaciones
El impacto de la ingeniería de retroceso de la fuente/drenaje (S/D) en el rendimiento del dispositivo tanto del transistor de efecto de campo (FET) de nanohojas (NS) de puerta alrededor (GAA) como del FinFET ha sido estudiado de manera exhaustiva en la tecnología de nodo de 5 nm.
Descripción
El impacto de la ingeniería de retroceso de la fuente/drenaje (S/D) en el rendimiento del dispositivo tanto del transistor de efecto de campo (FET) de nanohojas (NS) de puerta alrededor (GAA) como del FinFET ha sido estudiado de manera exhaustiva en la tecnología de nodo de 5 nm.