La radiación ionizante induce la degradación de los sistemas electrónicos. Para los dispositivos de memoria, este fenómeno se observa frecuentemente como la corrupción de los datos almacenados y, en algunos casos, el aumento repentino en el consumo de corriente durante la operación. En este trabajo, proponemos una instrumentación experimental mejorada para llevar a cabo un monitoreo y análisis exhaustivos de los Efectos de Evento Único (SEE) en los sistemas electrónicos. En particular, nos enfocamos en el fenómeno de Bloqueo por Evento Único (SEL) en los dispositivos de memoria, donde se requiere monitoreo y control de corriente para las pruebas. Para exponer las características y funciones de la instrumentación propuesta, presentamos resultados de un estudio de caso de una memoria SRAM que ha sido utilizada en el satélite PROBA-V de la ESA. Para este estudio, realizamos campañas experimentales en dos instalaciones de irradiación diferentes con protones e iones pesados, demostrando las capacidades de la instrumentación, como la sincronización, alta tasa de muestreo, tiempo de respuesta rápido y flexibilidad. Utilizando esta instrumentación, pudimos reportar la sección transversal para los SEE observados e investigar más a fondo su correlación con el comportamiento actual observado. Destacadamente, nos permitió identificar que el 95% de las Interrupciones Funcionales por Evento Único (SEFIs) se desencadenaron durante eventos SEL.