Investigación del mecanismo de colapso actual en diodos de potencia AlGaN/GaN
Autores: Doublet, Martin; Defrance, Nicolas; Okada, Etienne; Pace, Loris; Duquesne, Thierry; Emilien, Bouyssou; Yvon, Arnaud; Idir, Nadir; De Jaeger, Jean-Claude
Idioma: Inglés
Editor: MDPI
Año: 2023
Acceso abierto
Artículo científico
2023
Investigación del mecanismo de colapso actual en diodos de potencia AlGaN/GaN
Categoría
Ingeniería y Tecnología
Subcategoría
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Palabras clave
Metodología
Nitruro de galio
Diodos de potencia
Resistencia dinámica en conducción
Defectos eléctricos
Relacionados con carbono.
Licencia
CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual
Consultas: 26
Citaciones: Sin citaciones
En este documento, se propone una metodología para estudiar los efectos actuales de colapso de diodos de potencia de Nitruro de Galio (GaN) y las consecuencias en la resistencia dinámica de encendido (RON).
Descripción
En este documento, se propone una metodología para estudiar los efectos actuales de colapso de diodos de potencia de Nitruro de Galio (GaN) y las consecuencias en la resistencia dinámica de encendido (RON).