En este estudio, realizamos un examen exhaustivo de la influencia del flujo de gas portador de hidrógeno (H) en la uniformidad de las capas epitaxiales, centrándonos específicamente en la capa única de InGaP y en la estructura completa del transistor bipolar de unión heterogénea InGaP/GaAs (HBT). Los resultados muestran que un flujo elevado de gas portador de H facilita notablemente la estabilización de la uniformidad de las capas. La uniformidad óptima en obleas epitaxiales es alcanzable con un flujo adecuado de gas portador. Además, este estudio revela una correlación significativa entre la uniformidad de la capa única de InGaP y la uniformidad general de las estructuras HBT, indicando una interdependencia consecuente.