logo móvil
Contáctanos

Investigación exhaustiva de técnicas prometedoras para mejorar el reparto de voltaje entre cadenas de MOSFET de SiC, respaldada por validaciones experimentales y de simulación

Autores: Zhao, Weichuan; Ghafoor, Sohrab; Lagerweij, Gijs Willem; Rietveld, Gert; Vaessen, Peter; Niasar, Mohamad Ghaffarian

Idioma: Inglés

Editor: MDPI

Año: 2024

Descargar PDF

Acceso abierto

Artículo científico
2024

Investigación exhaustiva de técnicas prometedoras para mejorar el reparto de voltaje entre cadenas de MOSFET de SiC, respaldada por validaciones experimentales y de simulación


Categoría

Ingeniería y Tecnología

Subcategoría

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Palabras clave

Técnicas
Equilibrio de voltaje
MOSFETs
Simulaciones
Experimentos
Controladores de puerta

Licencia

CC BY-SA – Atribución – Compartir Igual

Consultas: 48

Citaciones: Sin citaciones


Descripción
Este documento revisa de manera exhaustiva varias técnicas que abordan el equilibrio estático y dinámico de voltaje de MOSFETs conectados en serie. La efectividad de estas técnicas fue validada a través de simulaciones y experimentos. Las técnicas de equilibrio dinámico de voltaje incluyen métodos de ajuste de retardo de la señal de compuerta, amortiguadores pasivos, circuitos de sujeción pasiva y soluciones híbridas. Basándose en los resultados experimentales, se investigan las ventajas y desventajas de cada técnica. Combinar el método principal de equilibrio de compuerta con un amortiguador RC, que ha demostrado ser atractivo tanto técnica como comercialmente, proporciona una solución robusta. Si los componentes se clasifican y se agrupan, las técnicas de equilibrio de voltaje pueden no ser necesarias, lo que mejora aún más la viabilidad comercial de los MOSFETs conectados en serie. Una investigación de las topologías de los controladores de compuerta arroja una conclusión crucial: los controladores de compuerta aislados magnéticamente ofrecen una solución simple y rentable para aplicaciones de alta frecuencia (HF) (2.5-50 kHz) por encima de 8 kV con un mayor número de dispositivos en serie. Por debajo de 8 kV, es ventajoso trasladar la barrera de aislamiento desde el CI de control de compuerta hasta un optoacoplador y suministro aislado, lo que permite un diseño simple con componentes disponibles comercialmente.

Otros recursos que podrían interesarte

Temas Virtualpro