A medida que el nivel del proceso de fabricación de dispositivos semiconductores sigue mejorando, el tamaño del dispositivo disminuye gradualmente, y los dispositivos se ven afectados cada vez más por el efecto de eventos únicos. En este documento, se simula el proceso físico de incidencia de partículas únicas en un Transistor de Efecto de Campo Metal-Óxido-Semiconductor (NMOSFET) de canal N. Al cambiar la posición de incidencia de partículas, el ángulo de incidencia, el valor LET y la temperatura, se obtiene la variación de corriente transitoria con el tiempo, y se analiza la susceptibilidad del dispositivo al efecto de eventos únicos bajo la acción de cuatro factores, lo que proporciona la base para la próxima investigación del dispositivo contra el efecto de eventos únicos y las ideas para el endurecimiento contra la radiación de dispositivos semiconductores. Además, en estos experimentos, hubo pulsos de corriente en forma bimodal que eran diferentes de los pulsos de corriente transitoria de pico único. Por lo tanto, se propuso un nuevo modelo que describe la forma de onda de corriente transitoria bimodal de eventos únicos (SET), que puede utilizarse como modelo de fuente de corriente en la simulación de circuitos y ayudar a predecir la capacidad del circuito para resistir el efecto de eventos únicos.